El món de la tecnologia i la geopolítica ha rebut una sacsejada potent, una d’aquestes que fan canviar el rumb de moltes coses. Ni més ni menys que el director general de Nvidia, Jensen Huang, ha aixecat la veu per assegurar amb una convicció sorprenent que la Xina tindrà les seves pròpies màquines de litografia avançades abans que acabi la dècada, concretament l’any 2030. Una predicció que sembla de ciència-ficció, però que, en realitat, ja s’està gestant amb una intensitat febril.
Aquesta afirmació, feta amb una contundència inusual en una entrevista al popular “The All-In Podcast”, no és un simple desvari. Huang, conegut per la seva visió penetrant del sector, considera que aquesta fita tecnològica xinesa és “a tocar”. Però, com pot ser que un país que fins fa poc depenia tant de l’exterior estigui a punt de capgirar la taula en una de les indústries més complexes del planeta?
La revelació és clara: la Xina està posant tota la carn a la graella, amb un suport estatal massiu, per aconseguir la independència tecnològica en la fabricació de semiconductors. L’objectiu és clar: produir xips de 5 nm o menys a gran escala, sense dependre de les màquines d’última generació que ara mateix només pot subministrar ASML, la gegantina companyia neerlandesa. Això no és només una qüestió econòmica, és una batalla geopolítica per la supremacia mundial.
Fa pocs mesos, ja vam veure els primers resultats tangibles. Una empresa xinesa, probablement Shanghai Yuliangsheng Technology, vinculada a Huawei i SiCarrier, va començar a fabricar en sèrie màquines de litografia de ultraviolat profund (UVP) per immersió. Aquesta és la primera vegada que la Xina produeix a escala industrial aquesta eina clau per gravar els patrons geomètrics dels circuits en les oblees de silici. Un pas de gegant, tot i que encara no al nivell de l’UVE (ultraviolat extrem) més avançat.
La cursa per l’UVE: dos projectes d’alt voltatge
La veritable revolució, però, es troba en dos projectes molt més ambiciosos i amb un suport estatal sense precedents. El primer, liderat per Huawei, va filtrar-se el març de 2025 i se centra en un equip de fotolitografia UVE dissenyat i fabricat íntegrament a la Xina. L’objectiu? Fabricar xips d’alta integració sense dependre de l’equipament extern, un autèntic secret que estan desgranant poc a poc.
Aquest prototip, malgrat la seva ambició, presenta una diferència clau respecte a les màquines d’ASML: utilitza una font de llum ultravioleta de tipus LDP (descàrrega induïda per làser), en lloc de la LPP (plasma generat per làser) dels neerlandesos. Si bé la LDP és menys potent, també és més senzilla d’implementar i, en teoria, capaç de generar la llum UVE amb la longitud d’ona de 13,5 nm necessària per competir de tu a tu. (Sí, nosaltres també ens quedem bocabadats amb aquests detalls tècnics que ho canvien tot).
Aquesta determinació de la Xina per dominar la fabricació de xips és un toc d’atenció global. El nostre futur tecnològic, i el de moltes indústries, es jugarà en aquestes dècades. No podem subestimar la capacitat d’un país amb tants recursos i voluntat política.
El projecte Huawei no és només un prototip, sinó una màquina híbrida que combina solucions de enginyeria inversa sobre equips DUV d’ASML i innovacions pròpies dels centres d’investigació xinesos. L’Institut d’Òptica, Mecànica i Física de Changchun ja fabrica miralls gairebé a l’alçada dels que produeix ZEISS per a ASML. La Universitat Tsinghua, per la seva banda, ha fet avenços en fotorresistències de politeluroxà, i Xuzhou B&C Chemical preveu produir fotorresistències avançades KrF i ArF en un màxim de cinc anys. Es preveu que els primers circuits integrats de prova estiguin llestos el 2028, amb fabricació a gran escala el 2030.
SSMB-UVE: la propera generació de llum UVE
Però la Xina no es conforma amb això. El segon projecte, anomenat SSMB-UVE (Steady-State Micro-Bunching-UVE), és encara més disruptiu. En aquest cas, la Universitat Tsinghua i l’Acadèmia Xinesa de Ciències busquen generar la radiació UVE utilitzant un sincrotró. Sí, un accelerador de partícules circular, com el HEPS (High Energy Photon Source), que en principi no sembla tenir res a veure amb els xips.
La clau és que aquest sincrotró pot produir llum UVE d’alta potència, una quantitat massiva de radiació. El pla xino és revolucionari: construir diverses plantes de fabricació de semiconductors al voltant de l’accelerador de partícules. El sincrotró lliuraria la llum UVE a aquestes plantes com una central elèctrica subministra electricitat als seus clients. Una veritable infraestructura centralitzada per a la producció de xips. (Pensa en la implicació d’un pla tan agosarat per a la nostra indústria!).
Tot i que el projecte SSMB-UVE és a més llarg termini i no es preveu que produeixi circuits integrats a gran escala a curt termini, ja ha completat les fases de verificació dels feixos de partícules. És una aposta per la pròxima generació de fonts de radiació UVE, i podria donar a la Xina un avantatge estratègic sense precedents en el futur. La màquina UVE híbrida de Shenzhen estarà llesta abans, però el recorregut d’aquest sincrotró, si arriba a bon port, serà molt més llarg i amb un impacte potencialment més gran.
Així doncs, les paraules de Jensen Huang no són només una declaració d’intencions, són un avís urgent. La Xina no s’atura i està a punt de redefinir el mapa tecnològic global. La seva determinació per la independència tecnològica en semiconductors és un moviment que reescriurà les regles del joc. Estem davant d’una transformació que impactarà en la nostra economia, la seguretat i, en definitiva, en la vida de tots. Qui tindrà el control d’aquesta tecnologia imprescindible els propers anys?
