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Jensen Huang, director general de Nvidia, sentencia: «China tendrá sus máquinas de litografía avanzadas para 2030»

El mundo de la tecnología y la geopolítica ha recibido una sacudida potente, una de esas que hacen cambiar el rumbo de muchas cosas. Ni más ni menos que el director general de Nvidia, Jensen Huang, ha alzado la voz para asegurar con una convicción sorprendente que China tendrá sus propias máquinas de litografía avanzadas antes de que termine la década, concretamente en el año 2030. Una predicción que parece de ciencia ficción, pero que, en realidad, ya se está gestando con una intensidad febril.

Esta afirmación, hecha con una contundencia inusual en una entrevista al popular «The All-In Podcast», no es un simple desvarío. Huang, conocido por su visión penetrante del sector, considera que este hito tecnológico chino está «al alcance». Pero, ¿cómo puede ser que un país que hasta hace poco dependía tanto del exterior esté a punto de dar un vuelco en una de las industrias más complejas del planeta?

La revelación es clara: China está poniendo toda la carne en el asador, con un apoyo estatal masivo, para lograr la independencia tecnológica en la fabricación de semiconductores. El objetivo es claro: producir chips de 5 nm o menos a gran escala, sin depender de las máquinas de última generación que ahora mismo solo puede suministrar ASML, la gigantesca compañía neerlandesa. Esto no es solo una cuestión económica, es una batalla geopolítica por la supremacía mundial.

Hace pocos meses, ya vimos los primeros resultados tangibles. Una empresa china, probablemente Shanghai Yuliangsheng Technology, vinculada a Huawei y SiCarrier, comenzó a fabricar en serie máquinas de litografía de ultravioleta profundo (UVP) por inmersión. Esta es la primera vez que China produce a escala industrial esta herramienta clave para grabar los patrones geométricos de los circuitos en las obleas de silicio. Un paso de gigante, aunque aún no al nivel del UVE (ultravioleta extremo) más avanzado.

La carrera por el UVE: dos proyectos de alto voltaje

La verdadera revolución, sin embargo, se encuentra en dos proyectos mucho más ambiciosos y con un apoyo estatal sin precedentes. El primero, liderado por Huawei, se filtró en marzo de 2025 y se centra en un equipo de fotolitografía UVE diseñado y fabricado íntegramente en China. ¿El objetivo? Fabricar chips de alta integración sin depender del equipamiento externo, un auténtico secreto que están desgranando poco a poco.

Este prototipo, a pesar de su ambición, presenta una diferencia clave respecto a las máquinas de ASML: utiliza una fuente de luz ultravioleta de tipo LDP (descarga inducida por láser), en lugar de la LPP (plasma generado por láser) de los neerlandeses. Si bien la LDP es menos potente, también es más sencilla de implementar y, en teoría, capaz de generar la luz UVE con la longitud de onda de 13,5 nm necesaria para competir de tú a tú. (Sí, nosotros también nos quedamos boquiabiertos con estos detalles técnicos que lo cambian todo).

Esta determinación de China por dominar la fabricación de chips es un toque de atención global. Nuestro futuro tecnológico, y el de muchas industrias, se jugará en estas décadas. No podemos subestimar la capacidad de un país con tantos recursos y voluntad política.

El proyecto Huawei no es solo un prototipo, sino una máquina híbrida que combina soluciones de ingeniería inversa sobre equipos DUV de ASML e innovaciones propias de los centros de investigación chinos. El Instituto de Óptica, Mecánica y Física de Changchun ya fabrica espejos casi a la altura de los que produce ZEISS para ASML. La Universidad Tsinghua, por su parte, ha hecho avances en fotorresistencias de politeluroxano, y Xuzhou B&C Chemical prevé producir fotorresistencias avanzadas KrF y ArF en un máximo de cinco años. Se prevé que los primeros circuitos integrados de prueba estén listos en 2028, con fabricación a gran escala en 2030.

SSMB-UVE: la próxima generación de luz UVE

Pero China no se conforma con eso. El segundo proyecto, llamado SSMB-UVE (Steady-State Micro-Bunching-UVE), es aún más disruptivo. En este caso, la Universidad Tsinghua y la Academia China de Ciencias buscan generar la radiación UVE utilizando un sincrotrón. Sí, un acelerador de partículas circular, como el HEPS (High Energy Photon Source), que en principio no parece tener nada que ver con los chips.

La clave es que este sincrotrón puede producir luz UVE de alta potencia, una cantidad masiva de radiación. El plan chino es revolucionario: construir varias plantas de fabricación de semiconductores alrededor del acelerador de partículas. El sincrotrón entregaría la luz UVE a estas plantas como una central eléctrica suministra electricidad a sus clientes. Una verdadera infraestructura centralizada para la producción de chips. (Piensa en la implicación de un plan tan audaz para nuestra industria!).

Aunque el proyecto SSMB-UVE es a más largo plazo y no se prevé que produzca circuitos integrados a gran escala a corto plazo, ya ha completado las fases de verificación de los haces de partículas. Es una apuesta por la próxima generación de fuentes de radiación UVE, y podría dar a China una ventaja estratégica sin precedentes en el futuro. La máquina UVE híbrida de Shenzhen estará lista antes, pero el recorrido de este sincrotrón, si llega a buen puerto, será mucho más largo y con un impacto potencialmente mayor.

Así pues, las palabras de Jensen Huang no son solo una declaración de intenciones, son un aviso urgente. China no se detiene y está a punto de redefinir el mapa tecnológico global. Su determinación por la independencia tecnológica en semiconductores es un movimiento que reescribirá las reglas del juego. Estamos ante una transformación que impactará en nuestra economía, la seguridad y, en definitiva, en la vida de todos. ¿Quién tendrá el control de esta tecnología imprescindible en los próximos años?

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